1N5309BKPBFREE

更新时间： 2024-11-25 13:00:15

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		稳流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	341K
描述
Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5309BKPBFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	CURRENT REGULATOR DIODE	最小动态阻抗：	300000 Ω
最大限制电压：	2.25 V	最大功率耗散：	0.6 W
标称调节电流 (Ireg)：	3 mA	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Current Regulator Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

1N5309BKPBFREE 数据手册

1N5283 THRU 1N5314

www.centralsemi.com

SILICON CURRENT LIMITING DIODE

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5283 series

types are silicon field effect current regulator diodes

designed for applications requiring a constant

current over a wide voltage range. These devices

are manufactured in the cost effective DO-35 double

plug case which provides many benefits to the

user, including space savings and improved thermal

characteristics. Special selections of I (regulator

current) are available for critical applications.

DO-35 CASE

FEATURES:

• High Reliability

• Superior Lot To Lot Consistency

• Surface Mount Devices Available

• Special Selections Available

MAXIMUM RATINGS: (T =75°C)

Peak Operating Voltage

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

SYMBOL

UNITS

°C

T , T

100

600

-65 to +200

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)

Regulator

Current

(Note 1)

Minimum

Dynamic

Impedance

Minimum

Knee

Impedance

Maximum

Limiting

Voltage

Type

@ V =25V

@ V =6.0V

@ I =0.8 x I MIN

MIN

NOM

MAX

MΩ

1N5283

1N5284

1N5285

1N5286

1N5287

1N5288

1N5289

1N5290

1N5291

1N5292

1N5293

1N5294

1N5295

1N5296

1N5297

1N5298

0.198

0.216

0.243

0.270

0.297

0.351

0.387

0.423

0.504

0.558

0.612

0.675

0.738

0.819

0.900

0.990

0.22

0.24

0.27

0.30

0.33

0.39

0.43

0.47

0.56

0.62

0.68

0.75

0.82

0.91

1.00

1.10

0.242

0.264

0.297

0.330

0.363

0.429

0.473

0.517

0.616

0.682

0.748

0.825

0.902

1.001

1.10

2.75

2.35

1.95

1.60

1.35

1.00

0.87

0.75

0.56

0.47

0.40

0.335

0.29

0.24

0.205

0.18

1.0

9.0

1.0

6.6

1.0

4.1

1.05

1.10

1.13

1.15

1.20

1.25

1.29

1.35

1.40

3.3

2.7

1.90

1.55

1.35

1.15

1.00

0.88

0.80

0.70

1.21

Notes: (1) Pulsed Method: Pulse Width (ms) = 27.5 divided by I NOM (mA)

R3 (24-May 2010)

中文翻译

下载PDF

与1N5309BKPBFREE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5309BKTIN/LEAD	CENTRAL	获取价格	Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon,
1N5309CO	AEROFLEX	获取价格	Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DIE-1
1N5309LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N5309TRPBFREE	CENTRAL	获取价格	Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon,
1N5309TR-RECU	CENTRAL	获取价格	Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK
1N5309TR-RMCU	CENTRAL	获取价格	Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACK
1N5309UR-1	MICROSEMI	获取价格	CURRENT REGULATOR DIODES
1N5309UR-1	CDI-DIODE	获取价格	Current Regulator Diode, 3mA I(S), 2.25V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLASS,
1N531	NJSEMI	获取价格	Diode Zener Single 87V 5W 2-Pin DO-201AE
1N5310	MICROSEMI	获取价格	HIGH RELIABILITY CURRENT REGULATOR DIODES

与1N5309BKPBFREE相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5309BKPBFREE

1N5309BKPBFREE 技术参数

1N5309BKPBFREE 数据手册

与1N5309BKPBFREE相关器件

与1N5309BKPBFREE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5309BKPBFREE

1N5309BKPBFREE 技术参数

1N5309BKPBFREE 数据手册

与1N5309BKPBFREE相关器件

与1N5309BKPBFREE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？