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1N5294-1E3

更新时间: 2024-11-17 06:29:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
Current Regulator Diode, 0.75mA I(S), 1.2V V(L), Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N5294-1E3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5
其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH SOURCE IMPEDANCE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:CURRENT REGULATOR DIODE最小动态阻抗:1150000 Ω
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3最大限制电压:1.2 V
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W标称调节电流 (Ireg):0.75 mA
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Current Regulator Diodes
表面贴装:NO技术:FIELD EFFECT
端子面层:PURE MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5294-1E3 数据手册

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