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1N5295

更新时间： 2024-01-06 06:40:02
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 336K
描述
SILICON CURRENT LIMITING DIODE DESCRIPTION:

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1N5295 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-35
包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.62
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：CURRENT REGULATOR DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
最大限制电压：1.25 V元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.6 W
认证状态：Not Qualified标称调节电流 (Ireg)：0.82 mA
表面贴装：NO技术：FIELD EFFECT
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N5295 数据手册

 浏览型号1N5295的Datasheet PDF文件第2页 
1N5283 THRU 1N5314  
www.centralsemi.com  
SILICON CURRENT LIMITING DIODE  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N5283 series  
types are silicon field effect current regulator diodes  
designed for applications requiring a constant  
current over a wide voltage range. These devices  
are manufactured in the cost effective DO-35 double  
plug case which provides many benefits to the  
user, including space savings and improved thermal  
characteristics. Special selections of I (regulator  
P
current) are available for critical applications.  
DO-35 CASE  
FEATURES:  
• High Reliability  
• Superior Lot To Lot Consistency  
• Surface Mount Devices Available  
• Special Selections Available  
MAXIMUM RATINGS: (T =75°C)  
Peak Operating Voltage  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
SYMBOL  
UNITS  
V
mW  
°C  
L
P
P
T , T  
100  
600  
-65 to +200  
OV  
D
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
Regulator  
Current  
(Note 1)  
Minimum  
Dynamic  
Impedance  
Minimum  
Knee  
Impedance  
Maximum  
Limiting  
Voltage  
Type  
I
@ V =25V  
T
Z
@ V =25V  
Z
@ V =6.0V  
V
@ I =0.8 x I MIN  
P
T
T
K
K
L
L
P
MIN  
mA  
NOM  
mA  
MAX  
mA  
MΩ  
MΩ  
V
1N5283  
1N5284  
1N5285  
1N5286  
1N5287  
1N5288  
1N5289  
1N5290  
1N5291  
1N5292  
1N5293  
1N5294  
1N5295  
1N5296  
1N5297  
1N5298  
0.198  
0.216  
0.243  
0.270  
0.297  
0.351  
0.387  
0.423  
0.504  
0.558  
0.612  
0.675  
0.738  
0.819  
0.900  
0.990  
0.22  
0.24  
0.27  
0.30  
0.33  
0.39  
0.43  
0.47  
0.56  
0.62  
0.68  
0.75  
0.82  
0.91  
1.00  
1.10  
0.242  
0.264  
0.297  
0.330  
0.363  
0.429  
0.473  
0.517  
0.616  
0.682  
0.748  
0.825  
0.902  
1.001  
1.10  
25  
19  
2.75  
2.35  
1.95  
1.60  
1.35  
1.00  
0.87  
0.75  
0.56  
0.47  
0.40  
0.335  
0.29  
0.24  
0.205  
0.18  
1.0  
1.0  
14  
1.0  
9.0  
1.0  
6.6  
1.0  
4.1  
1.05  
1.05  
1.05  
1.10  
1.13  
1.15  
1.20  
1.25  
1.29  
1.35  
1.40  
3.3  
2.7  
1.90  
1.55  
1.35  
1.15  
1.00  
0.88  
0.80  
0.70  
1.21  
Notes: (1) Pulsed Method: Pulse Width (ms) = 27.5 divided by I NOM (mA)  
P
R3 (24-May 2010)  
12

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1N5295 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N5295 MOTOROLA

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 0.82 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-204AA
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