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1N5260B136

更新时间: 2024-11-20 20:10:47
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 168K
描述
DIODE 43 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, Voltage Regulator Diode

1N5260B136 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:43 V最大反向电流:0.1 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:40.85 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:3 mABase Number Matches:1

1N5260B136 数据手册

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