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1N5239B-13

更新时间： 2024-10-30 14:46:07

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美台 - DIODES		测试二极管
页数	文件大小	规格书
2页	43K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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1N5239B-13 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	235
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	9.1 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

1N5239B-13 数据手册

1N5221B - 1N5267B

500mW EPITAXIAL ZENER DIODE

SPICE MODELS: 1N5221B 1N5231B 1N5233B 1N5235B 1N5239B 1N5241B

Features

500mW Power Dissipation

High Stability

Low Noise

Surface Mount Equivalents Available

Hermetic Package

V_Z- Tolerance ±5%

Mechanical Data

DO-35

Case: DO-35, Glass

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

Polarity: Cathode Band

Marking: Type Number

Weight: 0.13 grams (approx.)

Dim

Min

25.40

Max

4.00

0.60

2.00

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Characteristic

Power Dissipation (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Symbol

P_d

Value

500

Unit

°C/W

R_qJA

300

Forward Voltage

@ I_F= 200mA

V_F

1.1

T_j,T_STG

°C

Operating and Storage Temperature Range

-65 to +200

Notes:

1. Valid provided that leads are kept at TL £75°C with lead length = 9.5mm (3/8”) from case; derate above 75°C.

DS18006 Rev. 14 - 2

1 of 2

1N5221B - 1N5267B

www.diodes.com

ã Diodes Incorporated

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5239B136	NXP	获取价格	DIODE 9.1 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, Voltage Regula
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