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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.02 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 5.1 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 最大电压容差： | 1% |
| 工作测试电流： | 20 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5231DTRE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 0.5W, |
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| 1N5231DTRLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N5231DUR | DIGITRON |
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Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 1; Max TMS Bridge Input Voltage: 0.5; Ma |
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| 1N5231DUR-1 | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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| 1N5231DUR-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode |
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| 1N5231DUR-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| 1N5231DUR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| 1N5231DUR-1TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 0.5W, |
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| 1N5231DURE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERME |
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| 1N5231DURE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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