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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.03 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 膝阻抗最大值： | 1900 Ω | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 4.7 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 1.41 mV/ °C | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 20 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5230AT-83 | ROHM |
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Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
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| 1N5230AT-84 | ROHM |
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Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
|
| 1N5230AT-85 | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
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| 1N5230AT-87Y | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
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| 1N5230AT-88 | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
|
| 1N5230A-TP | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5230ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GL |
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| 1N5230ATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 0.5W, |
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| 1N5230AUR | MICROSEMI |
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500 mW GLASS SURFACE MOUNT ZENER DIODES |
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| 1N5230AUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode |
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