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1N5226DD7E3

更新时间: 2024-11-27 06:08:07
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 101K
描述
Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional,

1N5226DD7E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.57
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:3.3 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:1%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N5226DD7E3 数据手册

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