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1N4763

更新时间: 2024-11-30 12:54:55
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SURGE 二极管齐纳二极管测试局域网
页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

1N4763 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.21
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:250 Ω
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:91 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:10%
工作测试电流:2.8 mABase Number Matches:1

1N4763 数据手册

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