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1N4696DUR-1E3

更新时间: 2024-11-20 21:16:03
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 170K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 1%, 0.5W

1N4696DUR-1E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.6
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
JESD-609代码:e3元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:9.1 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
最大电压容差:1%工作测试电流:0.05 mA
Base Number Matches:1

1N4696DUR-1E3 数据手册

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