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1N4626D PDF预览

1N4626D

更新时间： 2024-11-11 22:37:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Hermetically sealed glass case. DO ? 35 outline.

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1N4626D 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.27
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：1400 ΩJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：5.6 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：1%工作测试电流：0.25 mA
Base Number Matches：1

1N4626D 数据手册

 浏览型号1N4626D的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N4614-1THRU 1N4627-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/435  
1N4614 thru 1N4627  
and  
µ
• LOW CURRENT OPERATION AT 250 A  
1N4614-1 thru 1N4627-1  
• LOW REVERSE LEAKAGE AND LOW NOISE CHARACTERISTICS  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C  
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C  
Forward Voltage @ 200 mA: 1.1 Volts maximum  
* ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise speci½ed.  
JEDEC  
TYPE  
NUMBER  
NOMINAL  
ZENER  
VOLTAGE  
ZENER  
TEST  
CURRENT  
MAXIMUM  
ZENER  
IMPEDANCE  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
MAXIMUM  
DC ZENER  
CURRENT  
MAXIMUM  
NOISE  
DENSITY  
V
@ I  
I
Z
@ I  
1
@ V  
l
N
D
ZM  
Z
ZT  
ZT  
ZT  
ZT  
R
R
(Note 1)  
VOLTS  
(Note 2)  
OHMS  
µ A  
µ A  
VOLTS  
mA  
µ V/ Hz  
1N4614  
1N4615  
1.8  
2.0  
250  
250  
1200  
1250  
7.5  
5.0  
1
1
120  
110  
1
1
1N4616  
1N4617  
2.2  
2.4  
250  
250  
1300  
1400  
4.0  
2.0  
1
1
100  
95  
1
1
FIGURE 1  
1N4618  
1N4619  
2.7  
3.0  
250  
250  
1500  
1600  
1.0  
0.8  
1
1
90  
87  
1
1
1N4620  
1N4621  
3.3  
3.6  
250  
250  
1650  
1700  
7.5  
7.5  
1.5  
2
85  
83  
1
1
DESIGN DATA  
1N4622  
1N4623  
3.9  
4.3  
250  
250  
1650  
1600  
5.0  
4.0  
2
2
80  
77  
1
1
CASE: Hermetically sealed glass  
1N4624  
1N4625  
4.7  
5.1  
250  
250  
1550  
1500  
10.0  
10.0  
3
3
75  
70  
1
2
case. DO – 35 outline.  
1N4626  
1N4627  
5.6  
6.2  
250  
250  
1400  
1200  
10.0  
10.0  
4
5
65  
61  
4
5
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
* JEDEC Registered Data.  
NOTE 1  
NOTE 2  
The JEDEC type numbers shown above have a Zener voltage tolerance of + 5% of  
the nominal Zener voltage. Vz is measured with the device junction in thermal equilib-  
rium at an ambient themperature of 25°C + 3°C. A “C” suffix denotes a + 2%  
tolerance and a “D” suffix denotes a + 1% tolerance.  
THERMAL RESISTANCE: (R  
):  
OJEC  
250 °C/W maximum at L = .375 inch  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
°C/W maximum  
): 35  
OJX  
Zener impedance is derived by superimposing on l  
A 60Hz rms a.c. current equal  
ZT  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
to 10% of l  
(25 µ A a.c.)  
ZT  
MOUNTING POSITION: ANY.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (978) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
45  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4626D/TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
1N4626D-1 MICROSEMI

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 		Hermetically sealed glass case. DO ? 35 outline.
1N4626D-1/TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
1N4626D-1E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM
1N4626D-1E3/TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM
1N4626D-1E3TR MICROSEMI

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 		5.6V, 0.48W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HE
1N4626D-1TR MICROSEMI

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1N4626D-1TRE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 1%, 0.5W,
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