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1N4595

更新时间： 2024-11-16 02:55:19

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GENESIC		二极管
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3页	1757K
描述
Silicon Standard Recovery Diode

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1N4595 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	O-MUPM-H1	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.53	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.5 V
JEDEC-95代码：	DO-205AA	JESD-30 代码：	O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流：	3000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	150 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向电流：	4000 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

1N4595 数据手册

1N4594(R) thru 1N4596(R)

V_RRM= 1000 V - 1400 V

I_F=150 A

Silicon Standard

Recovery Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 1000 V to 1400 V V_RRM

DO-8 Package

• Not ESD Sensitive

Note:

1. Standard polarity: Stud is cathode.

2. Reverse polarity (R): Stud is anode.

3. Stud is base.

Stud Stud

(R)

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

1N4596(R)

Parameter

Symbol

1N4594(R)

1N4595(R)

Unit

V_RRM

V_DC

I_F

1400

150

Repetitive peak reverse voltage

DC blocking voltage

1000

150

1200

150

T_C≤ 110 °C

T_C= 25 °C, t_p= 8.3 ms

60 Hz Half wave

Continuous forward current

Surge non-repetitive forward

current, Half Sine Wave

I_F,SM

3000

A²sec

°C

I₂t

T_j

37200

I₂t for fusing

37200

-55 to 150

Operating temperature

Storage temperature

-55 to 150

T_stg

°C

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

1N4596(R)

1.5

Parameter

Symbol

1N4594(R)

1.5

1N4595(R)

Unit

V_F

I_R

I_F= 150 A, T_j= 110 °C

V_R= V_RRM, T_j= 110 °C

Diode forward voltage

Reverse current

1.5

4.5

3.5

Thermal characteristics

Thermal resistance, junction -

case

R_thJC

0.35

°C/W

Oct. 2018

http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n4595r.pdf

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