是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.65 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 100 Ω | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 参考标准: | MIL-19500 |
标称参考电压: | 6.4 V | 最大反向电流: | 2 µA |
反向测试电压: | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max: | 0.64 mV/ °C |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 0.5 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4570AURTR | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4570AURTR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4570AURTR-1-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4570AURTR-1-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4570AURTR-1-3 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4570AURTR-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4570AURTR-3 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4570AV | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
6.4V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE | |
1N4570D7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.4V V(Z), 5%, 0.475W, Silicon | |
1N4570TR | MICROSEMI |
获取价格 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |