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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.13 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-204AH |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.4 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.64 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4570-1 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4570-1-1 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4570-1-1PCT | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N4570-1-1PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| 1N4570-1-2 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4570-1-2PCT | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| 1N4570-1-2PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| 1N4570-1-3 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4570-1-3PCT | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| 1N4570-1-3PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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