是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-35 |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.12 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICAL BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 200 Ω | JEDEC-95代码: | DO-204AH |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 75 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 6.4 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max: | 0.03 mV/ °C |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 0.5 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N4569 | MICROSEMI |
完全替代 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
JANTX1N4569 | MICROSEMI |
功能相似 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
JAN1N4569 | MICROSEMI |
功能相似 |
6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4569-1-1 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4569-1-1PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
1N4569-1-2 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4569-1-2PCT | MICROSEMI |
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暂无描述 | |
1N4569-1-2PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
1N4569-1-3 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes | |
1N4569-1-3PCT | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
1N4569-1-3PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
1N4569-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN | |
1N4569-1PCT | MICROSEMI |
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Zener Diode, |