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1N4531T/R

更新时间： 2024-02-14 07:25:14

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1N4531T/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-34	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.13	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向电流：	0.025 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

High-speed diodes

1N4531; 1N4532

MGD010

MGD004

1.2

handbook, halfpage

(µA)

(pF)

1.0

0.8

0.6

−1

−2

0.4

100

200

T ( C)

(V)

V_R= 50 V

Solid line; maximum values.

Dotted line; typical values.

f = 1 MHz; T_j= 25 °C.

Fig.5 Reverse current as a function of junction

temperature.

Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse

voltage; typical values.

1996 Sep 03

1 2 3 456 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4531T-14	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-34,	获取价格
1N4531T-90	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-34,	获取价格
1N4531T-94	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-34,	获取价格
1N4531UR	MICROSEMI	PERFORMANCE SPECIFICATION	获取价格
1N4531URE3	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.125A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2	获取价格
1N4532	NXP	High-speed diodes	获取价格