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1N4531T/R

更新时间： 2024-01-26 13:35:13

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飞利浦 - PHILIPS		/
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7页	39K
描述
Diode,

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1N4531T/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-34	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.13	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向电流：	0.025 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4531T/R 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

High-speed diodes

1N4531; 1N4532

FEATURES

DESCRIPTION

• Hermetically sealed leaded glass

SOD68 (DO-34) package

The 1N4531, 1N4532 are high-speed switching diodes fabricated in planar

technology, and encapsulated in hermetically sealed leaded glass

SOD68 (DO-34) packages.

• High switching speed: max. 4 ns

• Continuous reverse voltage:

max. 75 V

• Repetitive peak reverse voltage:

max. 75 V

handbook, halfpage

• Repetitive peak forward current:

max. 450 mA.

MAM156

The diodes are type branded.

APPLICATIONS

• High-speed switching

Fig.1 Simplified outline (SOD68; DO-34) and symbol.

• Protection diodes in reed relays.

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_RRM

V_R

repetitive peak reverse voltage

continuous reverse voltage

continuous forward current

repetitive peak forward current

−

I_F

see Fig.2

200

450

I_FRM

I_FSM

non-repetitive peak forward current square wave; T_j= 25 °C prior to

surge; see Fig.4

t = 1 µs

t = 1 ms

t = 1 s

−

0.5

P_tot

T_stg

T_j

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

T_amb= 25 °C

−

500

+200

200

°C

−65

−

1996 Sep 03

123 4 5 6 7

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与1N4531T/R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4531T-14	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-34,	获取价格
1N4531T-90	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-34,	获取价格
1N4531T-94	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-34,	获取价格
1N4531UR	MICROSEMI	PERFORMANCE SPECIFICATION	获取价格
1N4531URE3	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.125A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2	获取价格
1N4532	NXP	High-speed diodes	获取价格