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1N4531T/R

更新时间： 2024-02-26 04:13:48

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飞利浦 - PHILIPS		/
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7页	39K
描述
Diode,

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1N4531T/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-34	包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.13	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向电流：	0.025 µA
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4531T/R 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

High-speed diodes

1N4531; 1N4532

GRAPHICAL DATA

MBG450

MBG458

300

600

handbook, halfpage

(mA)

200

400

(1)

(2)

(3)

100

200

100

200

( C)

(V)

amb

(1) T_j= 175 °C; typical values.

(2) T_j= 25 °C; typical values.

(3) T_j= 25 °C; maximum values.

Lead length 5 mm.

Fig.2 Maximum permissible continuous forward

current as a function of ambient temperature.

Fig.3 Forward current as a function of forward

voltage.

MBG704

handbook, full pagewidth

FSM

(A)

−1

(µs)

Based on square wave currents.

T_j= 25 °C prior to surge.

Fig.4 Maximum permissible non-repetitive peak forward current as a function of pulse duration.

1996 Sep 03

1 2 345 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1N4531T-90	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-34,	获取价格
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