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1N4458R

更新时间: 2024-02-18 09:02:32
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美高森美 - MICROSEMI 二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
Military Silicon Power Rectifier

1N4458R 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.4应用:POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-4JESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:800 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N4458R 数据手册

 浏览型号1N4458R的Datasheet PDF文件第2页 

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