1N4448HWT

更新时间： 2024-01-25 21:03:10

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	69K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N4448HWT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N4448HWT 数据手册

200

100

150

100

Ta = 25°C

Ta = 50°C

Ta = 85°C

Ta = 0°C

Ta = -30°C

0.1

125

100

150

1000

400

600

800

200

V_F, FORWARD VOLTAGE (mV)

T_A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics

Fig. 1 Derating Curve

2.5

2.0

1.5

10.0

Ta = 100°C

1.0

Ta = 75°C

Ta = 50°C

0.10

1.0

0.5

Ta = 25°C

Ta = 0°C

0.01

Ta = -30°C

0.001

I_F, FORWARD CURRENT (mA)

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Reverse Recovery Time vs.

Forward Current

Fig. 3 Typical Reverse Characteristics

DS30395 Rev. 1 - 2

2 of 2

www.diodes.com

1N4448HWT

123

下载PDF

与1N4448HWT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4448HWT_09	DIODES	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE	获取价格
1N4448HWT-13	DIODES	Rectifier Diode, 1 Element, 0.125A, 80V V(RRM), Silicon, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKA	获取价格
1N4448HWT-7	DIODES	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE	获取价格
1N4448L	Galaxy Microelectronics	0.15A,80V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes	获取价格
1N4448M	ETC	SMALL SIGNAL DIODE	获取价格
1N4448R	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格