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1N4245GP/71

更新时间： 2024-01-31 21:11:55

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	328K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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1N4245GP/71 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.47	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	160 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N4245GP/71 数据手册

1N4245GP thru 1N4249GP

Vishay General Semiconductor

TJ = 25 °C

f = 1.0 MHz

V^sig= 50mVp-p

TJ = 150 °C

Pulse Width = 300 µs

1% Duty Cycle

T^J= 25 °C

0.1

0.01

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

100

Instantaneous Forward Voltage (V)

Reverse Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

Figure 5. Typical Junction Capacitance

100

TJ = 100 °C

0.1

= 25 °C

0.01

0.1

0.01

100

0.1

100

t - Pulse Duration (sec.)

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Figure 4. Typical Reverse Characteristics

Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance

Package outline dimensions in inches (millimeters)

DO-204AL (DO-41)

1.0 (25.4)

MIN.

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

DIA.

0.205 (5.2)

0.160 (4.1)

1.0 (25.4)

MIN.

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

DIA.

0.026 (0.66)

0.023 (0.58)

NOTE: Lead diameter is

for suffix “E” part numbers

Document Number 88506

14-Sep-05

www.vishay.com

1 234

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