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1N4245GP/4H

更新时间： 2024-02-14 19:57:09

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	328K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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1N4245GP/4H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.47	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	160 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4245GP/4H 数据手册

1N4245GP thru 1N4249GP

Vishay General Semiconductor

Electrical Characteristics

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

* Maximum

Test condition

at 1.0 A

Symbol 1N4245GP 1N4246GP 1N4247GP 1N4248GP 1N4249GP Unit

V_F

1.2

instantaneous forward

voltage

* Maximum reverse

current at rated DC

blocking voltage

_A= 25 °C

I_R

1.0

µA

T_A= 125 °C

Typical junction

capacitance

at 4.0 V, 1 MHz

C_J

8.0

Thermal Characteristics

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol 1N4245GP 1N4246GP 1N4247GP 1N4248GP 1N4249GP Unit

Typical thermal resistance⁽¹⁾

R_θJA

R_θJL

°C/W

Notes:

(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted

Ratings and Characteristics Curves

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

5.0

60 Hz

Resistive or

Inductive Load

TJ = TJ max.

8.3 ms Single Half Sine-Wave

0.375" (9.5mm)

Lead Length

100

125

150

175

100

Ambient Temperature, °C

Number of Cycles at 60 Hz

Figure 1. Forward Current Derating Curve

Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current

www.vishay.com

Document Number 88506

14-Sep-05

123 4

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