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1N4148TR

更新时间： 2024-02-18 03:17:39

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安森美 - ONSEMI		二极管
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7页	156K
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高电导快速二极管

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1N4148TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	DO-35, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.9
Samacsys Description：	Diode Ultra Fast 100V 0.2A 2-Pin DO-35	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

1N4148TR 数据手册

1N91x, 1N4x48, FDLL914, FDLL4x48

TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS

4.0

0.90

0.85

0.80

0.75

Ta = 25 ^oC

T_A= 25 ^o

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

Reverse Recovery Current, I _rr[mA]

REVERSE VOLTAGE (V)

IF = 10mA , IRR = 1.0 mA

, Rloop = 100 Ohms

Figure 7. Total Capacitance

Figure 8. Reverse Recovery Time vs.

Reverse Recovery Current

500

400

300

200

100

500

400

300

200

100

DO−35 and LL−34 / SOD−80

I_F(AV)

− Average Rectified Current − mA

100

150

100

150

200

Ambient Temperature ( ^oC)

Temperature ( ^oC)

Figure 9. Average Rectified Current (I_F(AV)

vs. Ambient Temperature (T_A)

)

Figure 10. Power Derating Curve

www.onsemi.com

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