是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.47 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 1500 Ω | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 100 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 1% |
工作测试电流: | 0.25 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4135D-1/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA | |
1N4135D-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM | |
1N4135D-1E3/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM | |
1N4135D-1TRE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.5W, | |
1N4135DE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM | |
1N4135DLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
1N4135DTRE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.5W, | |
1N4135DUR | MICROSEMI |
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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS | |
1N4135DUR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
1N4135DURE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERME |