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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.64 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 最大电压容差： | 1% | 工作测试电流： | 0.25 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4135DTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.5W, |
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| 1N4135DUR | MICROSEMI |
获取价格 |
GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS |
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| 1N4135DUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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| 1N4135DURE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N4135DURE3-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| 1N4135DURE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
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| 1N4135DURE3TR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
| 1N4135DURTR | MICROSEMI |
获取价格 |
GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS |
|
| 1N4135DURTR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS |
|
| 1N4135E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM |
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