是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-213AA |
包装说明: | O-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.47 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 200 Ω | JEDEC-95代码: | DO-213AA |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 28 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 0.25 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4119URTR-1 | MICROSEMI |
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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS | |
1N411B | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N411B | TRSYS |
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High Current Rectifier | |
1N411BR | TRSYS |
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Rectifier Diode | |
1N411BR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 P | |
1N411BRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 P | |
1N4120 | MCC |
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500mW Silicon Zener Diodes | |
1N4120 | NJSEMI |
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400 MILLIWATT HERMETICALLY SEALED GLASS SILICON ZENER DIODES | |
1N4120 | TAITRON |
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500mW Low Noise Zener Diodes | |
1N4120 | SEMTECH |
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SILICON PLANAR LOW NOISE ZENER DIODES |