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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 1.5 W |
| 标称参考电压： | 21 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.42 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4061E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 21V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, PLASTIC PACAKGE-2 |
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| 1N4062 | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE DIODES |
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| 1N4062 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
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| 1N4062 | CDI-DIODE |
获取价格 |
12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% |
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| 1N4062A | CDI-DIODE |
获取价格 |
12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% |
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| 1N4062A | NJSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE DIODES |
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| 1N4062A | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
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| 1N4062AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 23V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, PLASTIC PACAKGE-2 |
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| 1N4062E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 23V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, PLASTIC PACAKGE-2 |
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| 1N4063 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |
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