5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-9 |
| 包装说明： | O-MUPM-H1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.66 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-205AB | JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 5000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最大输出电流： | 275 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4050RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 400V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N4050RHR | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N4050RIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 400V V(RRM), |
|
| 1N4051 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N4051 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4051 | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 275; Max TMS Bridge Input Volt |
|
| 1N4051 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 500V 275A 2-Pin DO-9 |
|
| 1N4051 | INFINEON |
获取价格 |
275 Amp Avg Power Silicon Rectifier Diodes |
|
| 1N4051E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N4051IL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
