5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 应用： | HIGH POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JEDEC-95代码： | DO-9 | JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 5000 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 190 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 275 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 500 V |
| 最大反向电流： | 75 µA | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4051E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N4051IL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N4051-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N4051R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N4051R | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4051R | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier, High Power; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 275; Max TMS Bridge Input Volt |
|
| 1N4051RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N4051RIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 500V V(RRM), |
|
| 1N4052 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 600V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4052 | INFINEON |
获取价格 |
275 Amp Avg Power Silicon Rectifier Diodes |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
