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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N4003S
1N4003S PDF预览

1N4003S

更新时间： 2024-11-20 06:26:07
品牌 Logo 应用领域
虹扬 - HY 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 88K
描述
PLASTIC SILICON RECTIFIERS

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1N4003S 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.58外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1N4003S 数据手册

 浏览型号1N4003S的Datasheet PDF文件第2页 
1N4001S thru 1N4007S  
REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts  
FORWARD CURRENT - 1.0 Ampere  
PLASTIC SILICON RECTIFIERS  
A-405  
FEATURES  
●Low cost  
●Diffused junction  
●Low forward voltage drop  
●Low reverse leakage current  
.028(0.7)  
DIA.  
.020(0.5)  
1.0(25.4)  
MIN.  
●High current capability  
●The plastic material carries UL recognition 94V-0  
.205(5.2)  
MAX  
.107(2.7)  
DIA.  
.080(2.0)  
MECHANICAL DATA  
●Case: JEDEC A-405 molded plastic  
●Polarity: Color band denotes cathode  
●Weight: 0.008 ounces , 0.22 grams  
●Mounting position :Any  
1.0(25.4)  
MIN.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
SYMBOL 1N4001S 1N4002S 1N4003S 1N4004S 1N4005S 1N4006S 1N4007S UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
Maximum Average Forward  
I(AV)  
1.0  
A
Rectified Current  
@TA=75 ℃  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
30  
A
1.0  
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC  
VF  
IR  
V
5.0  
50  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25℃  
μA  
@TJ=100℃  
15  
Typical Junction Capacitance (Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
CJ  
RθJC  
TJ  
pF  
℃/W  
℃
26  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
℃
NOTES:1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC  
2.Thermal resistance junction to case  
~ 10 ~  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		SILICON RECTIFIER DIODE

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