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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.28 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 30 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 4 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N5545B | MICROSEMI |
完全替代  |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
|
| 1N4713(DO35) | MICROSEMI |
类似代替 |
Zener Voltage Regulator Diode |
|
| 1N5747B | MICROSEMI |
类似代替 |
SILICON 400MW ZENER DIODES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3529LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3529TR | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3529TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3529TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N353 | ETC |
获取价格 |
silicon diode |
|
| 1N3530 | HITACHI |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 20%, 0.4W |
|
| 1N3530 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 33V 5% 400mW 2-Pin DO-35 |
|
| 1N3530 | TI |
获取价格 |
33V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
|
| 1N3530 | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3530A | MICROSEMI |
获取价格 |
ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE |
|
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