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1N3531AE3

更新时间: 2024-11-20 08:50:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 116K
描述
Zener Diode, 36V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N3531AE3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.6
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:36 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:3 mA

1N3531AE3 数据手册

 浏览型号1N3531AE3的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01844  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
400mW  
ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE  
DEVICES  
1N3506A through 1N3534A  
MAXIMUM RATING AT 25oC  
Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ TEC = +125°C  
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C, unless otherwise specified)  
Zener Voltage @ Izt  
Volts  
Zener Type  
#
Zener Voltage  
Tolerance  
Max Zener Impedance  
@ Izt Ohms  
Power Rating  
@ mA  
20.0  
20.0  
20.0  
20.0  
20.0  
20.0  
20.0  
20.0  
20.0  
10.0  
10.0  
10.0  
10.0  
10.0  
10.0  
5.0  
1N3506A  
1N3507A  
1N3508A  
1N3509A  
1N3510A  
1N3511A  
1N3512A  
1N3513A  
1N3514A  
1N3515A  
1N3516A  
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3.3  
5%  
5%  
5%  
5%  
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5%  
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5%  
5%  
5%  
5%  
5%  
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24.0  
22.0  
20.0  
18.0  
16.0  
14.0  
8.0  
400mW  
400mW  
400mW  
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400mW  
400mW  
400mW  
400mW  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
3.0  
DO-35  
6.8  
3.0  
7.5  
4.0  
8.2  
5.0  
9.1  
6.0  
1.0  
7.0  
11.0  
12.0  
13.0  
15.0  
16.0  
18.0  
20.0  
22.0  
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10.0  
12.0  
14.0  
16.0  
18.0  
20.0  
35.0  
38.0  
40.0  
48.0  
50.0  
75.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
4.0  
4.0  
3.0  
3.0  
LDS-0063 Rev. 2 (091964)  
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