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1N5747B

更新时间: 2024-11-18 22:37:39
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 58K
描述
SILICON 400MW ZENER DIODES

1N5747B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-35
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.39
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:80 ΩJEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.48 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:30 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:2 mA

1N5747B 数据手册

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