5秒后页面跳转
1N3314B PDF预览

1N3314B

更新时间: 2024-01-29 00:53:41
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 309K
描述
ZENER DIODE

1N3314B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.88
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:80 ΩJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:50 W
标称参考电压:15 V子类别:Voltage Reference Diodes
端子面层:TIN LEAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:830 mA
Base Number Matches:1

1N3314B 数据手册

 浏览型号1N3314B的Datasheet PDF文件第2页 

与1N3314B相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N3314BCOX.160 MICROSEMI Zener Diode, 15V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional,

获取价格

1N3314BCOX.200 MICROSEMI Zener Diode, 15V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional,

获取价格

1N3314BCOX.250 MICROSEMI Zener Diode, 15V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional,

获取价格

1N3314BE3 MICROSEMI Zener Diode, 15V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL

获取价格

1N3314BLEADFREE CENTRAL Zener Diode, 15V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL

获取价格

1N3314BR MICROSEMI 暂无描述

获取价格