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1N3287R

更新时间: 2024-11-12 14:46:07
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 6V V(RRM), Germanium

1N3287R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.81
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:GERMANIUM二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.08 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:6 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N3287R 数据手册

  

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