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1N3269RIL

更新时间: 2024-11-13 09:01:59
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 135K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 600V V(RRM),

1N3269RIL 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
最大非重复峰值正向电流:5000 A元件数量:1
最高工作温度:190 °C最大输出电流:275 A
最大重复峰值反向电压:600 V子类别:Rectifier Diodes

1N3269RIL 数据手册

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