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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-4 | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.36 | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-203AA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 52 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 50 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2998B | NAINA |
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10 WATT ZENER DIODES |
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| 1N2998B | MICROSEMI |
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SILICON 10 WATT ZENER DIODES |
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| 1N2998B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 52V 5% 10W 2-Pin DO-4 |
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| 1N2998BCOX.120 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 52V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N2998BCOX.160 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 52V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N2998BCOX.200 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 52V V(Z), 5%, Silicon, Unidirectional, |
|
| 1N2998BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 52V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL |
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| 1N2998BLEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 52V V(Z), 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE- |
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| 1N2998BR | NAINA |
获取价格 |
10 WATT ZENER DIODES |
|
| 1N2998BR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 52V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL, |
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