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1N2998B

更新时间: 2024-11-17 22:37:55
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 107K
描述
SILICON 10 WATT ZENER DIODES

1N2998B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-4
包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, DO-4, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.5
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:15 ΩJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:10 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:52 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:50 mA

1N2998B 数据手册

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1N2998B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N2998A MICROSEMI

完全替代

10 WATT ZENER DIODES
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