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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2798E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N2798R | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N2798RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N2799 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2799 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers |
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| 1N2799E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 350V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N2799R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 350V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N28 | NJSEMI |
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Diode Switching 100V 100A 2-Pin DO-8 |
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| 1N2800 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers |
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| 1N2800 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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