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| 生命周期： | Active | 包装说明： | METAL, DO-5, 1 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-203AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流： | 800 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 40 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 300 V |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2798R | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N2798RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N2799 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2799 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers |
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| 1N2799E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 350V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N2799R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 350V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N28 | NJSEMI |
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Diode Switching 100V 100A 2-Pin DO-8 |
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| 1N2800 | NJSEMI |
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Silicon Power Rectifiers |
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| 1N2800 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2800E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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