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1N1831E3

更新时间: 2024-11-12 20:04:47
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 152K
描述
Zener Diode, 56V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, DO-4, 1 PIN

1N1831E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DO-4, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.78
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-4JESD-30 代码:O-MUPM-D1
元件数量:1端子数量:1
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:10 W标称参考电压:56 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
最大电压容差:10%工作测试电流:150 mA
Base Number Matches:1

1N1831E3 数据手册

  

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