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1N1661IL

更新时间: 2024-11-02 21:21:43
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美高森美 - MICROSEMI 软恢复二极管软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
2页 140K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 100V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN

1N1661IL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-9包装说明:DO-9, 1 PIN
针数:1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.54应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.3 VJEDEC-95代码:DO-205AB
JESD-30 代码:O-MUPM-H1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:5000 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:190 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:275 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N1661IL 数据手册

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