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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.9 V |
| JEDEC-95代码： | DO-4 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 190 °C | 最大输出电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1616A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N1616A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode 600V 16A 2-Pin DO-4 |
|
| 1N1616AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1616AR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N1616R | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Silicon Power Rectifier |
|
| 1N1616R | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 7A, 600V V(RRM) |
|
| 1N1616R | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1660 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N1660E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 50V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
|
| 1N1660ILE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 50V V(RRM), Silicon, DO-205AB, DO-9, 1 PIN |
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