是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.46 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JEDEC-95代码: | DO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 200 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 16 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 300 V | 最大反向恢复时间: | 5 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N1345BR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1345BRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1345C | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N1345CE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1345CR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1345CRE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1345E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1345R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N1345RB | ETC |
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GERMANIUM PNP TRANSISTORS | |
1N1346 | NJSEMI |
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Rectifiers |