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1N1346E3

更新时间: 2024-11-17 06:27:39
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

1N1346E3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:DO-4, 1 PIN
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.38
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:16 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压:400 V最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER

1N1346E3 数据手册

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