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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1JH46TPA3
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1JH46TPA3

更新时间： 2024-11-21 12:54:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 253K
描述
TOSHIBA FAST RECOVERY RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE

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1JH46TPA3 技术参数

生命周期：Lifetime Buy包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.2 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1JH46TPA3 数据手册

 浏览型号1JH46TPA3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1JH46TPA3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1JH46TPA3的Datasheet PDF文件第4页 
1JH46  
TOSHIBA FAST RECOVERY RECTIFIER SILICON DIFFUSED TYPE  
1JH46  
SWITCHING MODE POWER SUPPLY APPLICATIONS  
Unit: mm  
z Repetitive Peak Reverse Voltage : V  
= 600V  
= 1.0A  
RRM  
z Average Forward Current  
: I  
F (AV)  
z Very Fast Reverse−Recovery Time : t = 200ns (Max)  
rr  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
600  
UNIT  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
RRM  
Average Forward Current  
(Ta = 25°C)  
I
1.0  
A
F (AV)  
15 (50H )  
z
Peak One Cycle Surge Forward  
Current (Non−Repetitive)  
I
A
FSM  
17 (60H )  
z
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
−40 to 150  
−40 to 150  
°C  
°C  
j
T
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
3-3F2A  
Weight: 0.18 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and  
estimated failure rate, etc).  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
Peak Forward Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
= 1.0A  
FM  
MIN  
TYP.  
MAX  
UNIT  
V
I
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
1.2  
100  
200  
500  
115  
V
μA  
FM  
Repetitive Peak Reverse Current  
Reverse Recovery Time  
Forward Recovery Time  
Thermal Resistance  
I
V
= 600V  
RRM  
RRM  
t
rr  
I
I
= 1A, di / dt = −30A / μs  
ns  
F
F
t
fr  
= 1.0A  
ns  
R
th (j−a)  
Junction to Ambient  
°C / W  
MARKING  
Abbreviation Code  
JH6  
Part No.  
1JH46  
Part No. (or abbreviation code)  
Lot No.  
A line indicates  
lead (Pb)-free package or  
lead (Pb)-free finish.  
JH6  
1
2011-01-05  
1234

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与1JH46TPA3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1JH46TPB5 TOSHIBA

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 		DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1JPK10MFA8X11.5 RUBYCON

获取价格

 		CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 63V, 10uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD
1JSSP00022MKC6.3X11 RUBYCON

获取价格

 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 63V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF,
1JSSP00047MFA8X11.5 RUBYCON

获取价格

 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 63V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF,
1JU41 TAYCHIPST

获取价格

 		HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATION
1JU41 TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER (HIGH SPEED RECTIFIER APPLICATIONS)
1JU41TPA1 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1JU41TPA2 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1JU41TPA3 TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
1JU41TPB2 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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