1H1G-TP

更新时间： 2024-11-07 13:03:27

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
2页	352K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN

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1H1G-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.17	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1H1G-TP 数据手册

M C C

1H1

THRU

1H7

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

Features

•

Low Leakage Current

Fast Switching for High Efficiency

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

1.0 Amp

Efficient Rectifier

50 - 1000 Volts

High

RoHS Compliant. See ordering information)

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -55^OC to +125^OC

Storage Temperature: -55^OC to +150^OC

Typical Thermal Resistance; 60^OC/W Junction To Case

18^OC/W Junction To Ambient

R-1

MCC Part

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

1H1

1H2

1H3

1H4

1H5

1H6

1H7

1H1

1H2

1H3

1H4

1H5

1H6

1H7

35V

70V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

100V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

Cathode Mark

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

1.0A

T_A= 55^OC

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

30A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

1H1-4

1H5

1H6-1H7

V_F

1.0V

1.3V

1.7V

I_FM= 1.0A;

T_J= 25^OC

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Maximum Reverse

Recovery Time

1H1-1H5

I_R

5.0uA

150uA

T_J= 25^OC

T_J= 125^OC

DIMENSIONS

INCHES

DIM

NOTE

MIN

MAX

0.140

0.102

0.024

-----

MIN

2.90

2.30

0.50

20.00

MAX

3.50

2.60

0.60

-----

Trr

C_J

0.116

0.091

0.020

0.787

50ns

75ns

I_F=0.5A, I_R=1.0A

I_RR=0.25A

1H6-1H7

Typical Junction

Capacitance

1H1-1H5

20pF

15pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

1H6-1H7

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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1H1G-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1H1-TP	MCC	功能相似	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
1H1-AP	MCC	功能相似	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN

与1H1G-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1H1G-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
1H1-T3	WTE	获取价格	1.0A MINIATURE HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
1H1-TB	WTE	获取价格	1.0A MINIATURE HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
1H1-TB-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
1H1-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
1H1-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon,
1H2	SHUNYE	获取价格	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
1H2	FORMOSA	获取价格	1.0 AMP HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
1H2	DAESAN	获取价格	CURRENT 1.0 Ampere VOLTAGE 50 to 1000 Volts
1H2	LUNSURE	获取价格	1.0 Amp High Efficient Rectifier 50-1000 Volts

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