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1C5616AG

更新时间： 2024-02-22 02:24:56

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SENSITRON		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	93K
描述
1A, 400V, SILICON, SIGNAL DIODE, DIE-1

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技术参数
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1C5616AG 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-XUUC-N1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XUUC-N1	元件数量：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向恢复时间：	2 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

1C5616AG 数据手册

1C5614

1C5616

1C5618

1C5620

1C5622

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 5061, REV. B.1

GENERAL PURPOSE

SILICON RECTIFIER DIE

Maximum Ratings:

Characteristics

Peak Inverse Voltage

1C5614

Symbol

V_RWM

Condition

Max.

Units

200

400

1C5616

1C5618

600

1C5620

800

1C5622

1000

Max. Average Forward Current

Die Size

Max. Junction Temperature

Max. Storage Temperature

I_F(AV)

T_J

1.0

-55 to +175

@ 55C

mil

C

T_stg

Electrical Characteristics:

Characteristics

Symbol

Condition

@ 3.0A, Pulse, T_J= 25 C

Duty cycle  2%, pulse width 

300s

Max.

1.3

Units

Max. Forward Voltage Drop

V_F1

Max. Reverse Current

Reverse Recovery Time

I_R1

I_R2

t_rr

@V_R= 200V, Pulse,

T_J= 25 C

@V_R= 200V, Pulse,

T_J= 100 C

I_f= 500mA, I_r= 1A, I_rm

0.5

A

2000

250mA

Mechanical Dimensions: In Inches / mm for 1C5614

Top side metalization - Aluminum - 25 kÅ

Bottom side metalization - Titanium 1.2 kÅ,

Nickel 1.8 kÅ, Silver - 30 kÅ minimum

0.024  0.003

(0.610  0.076) (1.016  0.076)

0.040  0.003

ANODE

Bottom side is cathode, top side is anode.

See part ordering information for different options

Anode

0.009 ± 0.001 (0.229 ± 0.025)

Cathode

 (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798  www.sensitron.com  sales@sensitron.com

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