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1C5615BB

更新时间： 2024-02-01 08:00:18

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SENSITRON		/
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4页	118K
描述
Rectifier Diode,

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1C5615BB 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
Base Number Matches：	1

1C5615BB 数据手册

1C5615, 1C5617,

1C5619,1C5621,1C5623

SENSITRON

___

FAST RECOVERY RECTIFIER DIE

SEMICONDUCTOR

______________________________________________________________________________________

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 927, REV. B

Fast Recovery Rectifier Die

Maximum Ratings:

Characteristics

Peak Inverse Voltage

1C5615

Symbol

V_RWM

Condition

Min.

Max

Units

200

400

600

800

1000

1.0

1C5617

1C5619

1C5621

1C5623

Max. Average Forward Current

Die Size

Max. Junction Temperature

Max. Storage Temperature

V (pk)

I_F(AV)

A dc

mil

C

@ 55C

T_J

T_stg

-65 to +175

C

Electrical Characteristics:

Characteristics

Symbol

Condition

Min.

Max.

Units

Forward Voltage Drop

V_F1

0.8

1.6

I_F=3A, Duty cycle  2%, pulse

width  300s

Vpk

Reverse Current Leakage

I_R1

I_R2

0.5

@V_R= V_RWM, Pulse, T_J= 25 C

@V_R= V_RWM, Pulse, T_A= 125 C

A dc

Breakdown Voltage

1C5615

1C5617

1C5619

1C5621

220

440

660

880

1100

V_BR

I_R= 50A

1C5623

Reverse Recovery Time

1C5615

1C5617

1C5619

1C5621

1C5623

Capacitance

1C5615

1C5617

1C5619

150

250

300

500

t_rr

I_f= 500mA, I_r= 1A, I_rm= 250mA

V_R=12Vdc, 0.1<f<1.0 MH_Z

C_P

1C5621

1C5623

10 surges of 8.3ms each at 1

min intervals, I_O=750mA,

V_R=V_RWM, T_A=100^oC

Forward Surge

I_FSM

Apk

12 3 4

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