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1C5615

更新时间： 2024-01-08 18:58:02

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SENSITRON		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	43K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DIE-2

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1C5615 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
Base Number Matches：	1

1C5615 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

1C5615

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 927, REV. A

FAST RECOVERY

SILICON RECTIFIER DIE

Maximum Ratings:

Characteristics

Symbol

V_RWM

I_F(AV)

Condition

Max.

200

1.0

Units

mil

°C

Peak Inverse Voltage

Max. Average Forward Current

Die Size

Max. Junction Temperature

Max. Storage Temperature

@ 55°C

T_J

T_stg

-55 to +175

Electrical Characteristics:

Characteristics

Symbol

Condition

@ 3.0A, Pulse, T_J= 25 °C

Duty cycle ≤ 2%, pulse width ≤

300µs

Max.

1.6

Units

Max. Forward Voltage Drop

V_F1

Max. Reverse Current

Reverse Recovery Time

I_R1

I_R2

t_rr

@V_R= 200V, Pulse,

T_J= 25 °C

@V_R= 200V, Pulse,

T_J= 100 °C

I_f= 500mA, I_r= 1A, I_rm

0.5

µA

150

250mA

Mechanical Dimensions: In Inches / mm

Top side metalization - Aluminum - 25 kÅ

Bottom side metalization - Titanium 1.0 kÅ,

Nickel 1.5 kÅ, Silver - 25 kÅ minimum

0.024 ± 0.003

(0.610 ± 0.077)

0.040 ± 0.003

(1.02 ± 0.077)

Bottom side is cathode, top side is anode.

Dimension H = 0.009 (0.229)

Tolerance - 0.001” (0.025mm)

• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

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